Din Mica De Como Evit

Passo a passo de grávida

Agora, em volta do mundo da redução de peso e dimensões da redução da esmerada da instalação trabalha no rádio-uso de receptores a batata frita integrada (IMS). O pedaço integrado pode conter um grande número de elementos, tendo ao mesmo tempo bastante não grandes dimensões e peso. A batata frita moderna pode conter cascatas reunidas do dispositivo que recebe a rádio que consideravelmente facilita o desenho e o desenho do dispositivo que recebe a rádio.

P=2 * (Do máximo + fsopr + ∆f, onde a inexatidão fsopr-admissível da interface de colocações de contornos que para quilômetro e variedade de hectometer se escolhe igual 3÷5; desvio fg-possível de frequência de um igual heterodyne (0,5 ÷*0,001*fcmax;

A cadeia de entrada do receptor com a antena magnética contém duas subvariedades neste esquema: subvariedade de ondas de quilômetro ( e subvariedade de ondas hectometer (Page. Comunicação de um contorno de uma cadeia de entrada com o transistor de convertedor de frequência o transformador. Frequency Converter (FC) reúne-se segundo o esquema com um heterodyne separado. Como carregamento de 4 conexões do Fundo de Seguro social de PF1P-2, comunicação do Fundo de Seguro social com uma saída do misturador e uma entrada de serviço indutivo UPCh em uma cadeia de um coletor. A primeira cascata de UPCh o segundo reconcilia-se segundo o esquema aperiodic, a faixa larga, uma-planimetric com a inclusão parcial de um contorno em uma cadeia de coletor. O descobridor de díodo reúne-se segundo o esquema consecutivo com a carga compartilhada. Para o ajuste automático de fortalecer o esquema ARE com um atraso incluído em uma cadeia do emissor UPCh reunido segundo o esquema aperiodic usa-se. A cascata de UNNCh reúne-se segundo o esquema resistente com a inclusão direta do carregamento, a cascata de UNCh realiza-se segundo o esquema beztransformatorny no par único de transistores complementares.

Na maioria dos casos as cascatas de UNNCh podem realizar-se em transistores de poder baixo. Assim, se as frequências fortalecidas não excedem unidades de quilohertzes, a escolha de transistores faz-se em parâmetros de baixa frequência pelas seguintes razões:

Os dispositivos recebem a rádio modernos provêem uma comunicação fiável de estações espaciais, trabalho em sistemas de comunicação de satélite, em rádio-linhas de revezamento de multimil de quilômetros. Navegação, os aviões são incompreensíveis sem estações de radar perfeitas hoje.

Como as cascatas terminais dos ampliadores da baixa frequência é possível usar tanto ciclo único como esquemas duple. O esquema da cascata de produção define-se pelo objetivo do ampliador e exigências impostas para ele. Como no meu ampliador Rvykh=0,150vt, escolho a cascata de duple no modo de MÉDIA de classe em transistores de poder baixo.

Do ponto de vista econômico o rádio-receptor projetado tem as seguintes vantagens: todos os elementos usaram no receptor doméstico que consideravelmente reduz o preço de cada elemento e o receptor em geral; como no receptor os rádio-componentes domésticos que em caso do fracasso de um deles se usam, a pesquisa da nova rádio de um elemento serão mais fáceis do ponto de vista dos partidos materiais e físicos; no receptor só os elementos mais necessários que são necessários para a operação normal do rádio-receptor se usam e no esquema não se usa que elemento excessivo, isto é receptor se realiza na opção ótima que reduz o seu preço principal.

Os alto-falantes eletrodinâmica aplicados no transistor receptores portáteis têm de ter os tamanhos pequenos. Processo, escolho um alto-falante de tipo destas razões: 0,2GD-1, com parâmetros:

A tecnologia de produção moderna dos rádio-equipamentos eletrônicos, decisões de circuito essencialmente novas, que realização ficou possível na sua base como a quantidade de elementos e a complexidade de esquemas usando a batata frita integrada deixou de ser os fatores restritivos, permitiu levantar agudamente indicadores de qualidade de todos os tipos dos dispositivos recebem a rádio.

A não-linearidade de características de dispositivos se intensificam e díodos é a razão de torcimentos não lineares. Os maiores torcimentos não lineares criam-se no descobridor e UNCh. O valor total de torcimentos não lineares determina-se da expressão: