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Tarefa: definir a barreira (zaryadna de capacidade e tamanho de uma superfície de transições de emissor e coletor, e também tamanhos geométricos de uma chapa de semicondutor na qual a estrutura de transistor se forma.

Este caso achou a larga aplicação fora quanto a poder baixo e poder médio (a 5 W) transistores, e para esquemas integrados. Uma falta de KT-1 e casos KT-2 é a possibilidade da emissão de gás no volume interno do caso selando. É uma falta de todos os casos goryachesvarochny, mas se supera pela aplicação da proteção de estruturas flutuáveis e splavnodiffuzionny vários vernizes, compostos, zeolite.

O caso KT-1, metalglass, pressurizado por soldagem de electrocontact. O flange da base representa a xícara metálica enchida do vidro (isolador) por que passo as conclusões que têm um filete para selar pela soldagem de electrocontact. O caso tem o caso uma conclusão que se solda em um fundo de flange. O cilindro do caso representa o cilindro oco com um fundo que se põe no diâmetro exterior de uma xícara de um flange.

Estruturalmente o caso compõe-se de dois elementos básicos: base e cilindro. A base inclui: flange, isolador e conclusões. O cilindro representa uma xícara com um filete. Para poder baixo transistores bipolares os casos metalosteklyanny mais convenientes do KT-1 e KT-tipos

O elemento básico de um desenho do transistor é o cristal ou estrutura de transistor de um cristal que representa uma chapa de semicondutor com as transições criadas nele por emissor (EP) e coletor (KP). Outros elementos de um desenho são o caso, um kristalloderzhatel, conclusões.

O caso KT-2, (a - 5 - a designação estrangeira, metalglass, pressurizado pela soldagem de electrocontact, é semelhante no desenho ao caso KT-1 e tem só alguns grandes tamanhos. O seu desenho possui a mesma confiança, diferencia-se na mesma simplicidade e a eficácia tecnológica de um desenho, bem como o caso KT-V este caso é possível montar todos os tipos existentes de transições de transistores de poder baixo, e também transistores de silício do poder médio (a 5vt) na condição de uso da pia de calor adicional.

O objetivo do trabalho no projeto é a aquisição de habilidades da solução de problemas de engenharia da criação de dispositivos de semicondutor discretos, aumentando conhecimento de processos e características estruturalmente tecnológicas de transistores de poder baixo bipolares.

As frequências divisionais do coeficiente da transferência da corrente de f = 90 MHz, os f calculados valorizam = 103,73 MHz. Durante a operação do transistor bipolar em uma frequência a f o coeficiente da transferência da corrente no esquema com aproximadamente satisfará a um valor pré-ajustado.

A possibilidade da instalação em caso da estrutura planar ou flutuável e difusiva mostra-se quando o cristal napaivatsya pelo eletrodo de coletor diretamente em um flange de base. Assim o cristal pode ter os tamanhos máximos de 3,5 x 3,5 mm.

Como isso têm de haver todos parâmetros geométricos e electrophysical necessários para execução do desenho e parte principal da documentação tecnológica. Especialmente concerne a estrutura de diffuzant, chapas de dobradiça e soldas.